HCVAC专有的阴极技术和平台专为批量生产中的高速率和长目标寿命而设计,以最低的拥有成本。我们根据整个核心市场的基板格式,工艺和产量以及客户工厂集成需求提供垂直和水平溅射生产解决方案.
水平溅射架构:这只是Hcvac提供的一系列核心工艺功能和具有水平溅射功能的平台的一小部分
沉积用于MEMS,无线通信和LED的高性能AlN(和AlScN)层-
沉积用于晶圆级光学(WLO)的高通量光子学应用的精密光学叠层-
沉积高级封装中的金属层和叠层(UBM / RDL ),电源设备,无线通信,晶圆级EMI屏蔽或PCB接种
HCVAC的溅射功能,分别支持最大200mm,300mm,380mm和650mm的基板格式。
高速率直流,直流脉冲,DC / RF源,带有可选偏置
“多”溅射技术,具有多达4个源,用于合金和化合物的共沉积
专有的源技术包括“ Penta Plus”和多达6个溅射阴极,可实现出色的阶梯覆盖
用于光学应用中的TSV工艺和定制硬涂层工艺的高度电离溅射(HIS)技术
集成了先进的过程控制技术,包括等离子发射监视(PEM)和用于过程控制的光学监视技术
盒式磁带到盒式磁带的处理
垂直溅射架构
矩形阴极技术可在垂直溅射平台上使用,可在MEMS,光电子和光子学应用中高效批量生产TCO,金属,电介质和对准的磁性膜,最大基板尺寸为380 X 560mm。
基板尺寸之间的简单交换,可快速改变生产要求